سبکترین ماده محافظ الکترومغناطیسی جهان ساخته شد
تاریخ انتشار: ۱۹ تیر ۱۳۹۹ | کد خبر: ۲۸۵۷۵۲۳۴
محققان به تازگی با استفاده از نانوالیاف سلولزی و نانوسیمهای نقره، سبکترین شیلد الکترومغناطیسی جهان را تولید کردند. به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، شیلد یا محافظ میدان مغناطیسی در صنایع مختلف بسیار پرکاربرد است. به تازگی با استفاده از نانوالیاف سلولزی و نانوسیمهای نقره، محققان سبکترین شیلد الکترومغناطیسی جهان را تولید کردند.
بیشتر بخوانید:
اخباری که در وبسایت منتشر نمیشوند!
سبکترین محافظ الکترومغناطیسی جهان با استفاده از آئروسل ساخته شد. موتورهای الکتریکی و ادوات الکترونیکی معمولا میدانهای الکترومغناطیس تولید میکنند که میتوانند روی قطعات الکترونیکی مجاور یا روی سیگنالهای ارسالی تاثیرگذار باشند.
میدانهای الکترومغناطیس با فرکانس بالا باید با پوستههای رسانا محافظت شوند تا بتوان آنها را کنار هم قرار داد. بیشتر از ورقهای فلزی یا فویلهای متالیزه شده برای چنین کارهایی استفاده میکنند؛ هر چند برای برخی کاربردها این راهبرد موجب سنگین شدن شده و نمیتوان محصول نهایی را به شکل مورد نظر در آورد.
اما آنچه که ایدهآل است، یک محصول نازک، سبک و بادوام است که در برابر میدانهای الکترومغناطیس مقاومت بالایی داشته باشد.
ژیهوی زنگ و گاستاو نیسترو از Empa با همکاری یکدیگر، الیافی از جنس سلولز ساختند که پایه نوعی آئروسل است. این آئروسل سبک بوده و از تخلخل بالایی برخوردار است. سلولزها معمولا از چوب تولید میشوند و ساختار شیمیایی آنها قابل اصلاح شدن است. این گروه با استفاده از این ویژگی اقدام به تولید میکروساختارهایی کردند.
این گروه تحقیقاتی با استفاده از این روش، کامپوزیت نانوالیاف سلولزی و نانوسیم نقره تولید کردند که دارای ساختاری بسیار سبک بوده و قدرت محافظت بالا در برابر تابشهای الکترومغناطیس دارد. این ماده دانسیته ۱٫۷ میلیگرم بر سانتیمتر مربع دارد.
این نانوکامپوزیت دارای محافظت بالاتر از ۴۰ دسیبل در محدوده فرکانس ۸ تا ۱۲ گیگاهرتز است. به بیانی دیگر، همه تابشها در این محدوده فرکانس توسط این ماده دفع میشوند.
یکی از دلایل بروز رفتار محافظت در این کامپوزیت، حضور رشتههای سلولز و نقره است. همچنین ساختار حفرهای در آن به ایجاد خاصیت محافظت کمک میکند.
درون این حفرهها، میدانهای الکترومغناطیس منعکس شده و موجب تشکیل میدان الکترومغناطیس دیگری میشود که مخالف میدان اولیه است.
برای ایجاد حفرههایی با ابعاد و شکل بهینه، محققان از قالبهایی که از پیش سرد شده استفاده کردند که به آنها اجازه انجماد آهسته را میدهد. رشد بلورهای یخ موجب تشکیل ساختارهایی با حفرههای بهینه میشود، حفرههایی که قابلیت سرکوب میدانها را دارد.
منبع: خبرگزاری دانشجو
کلیدواژه: الکترومغناطیسی نانو الیاف نانو کامپوزیت میدان ها سبک ترین حفره ها
درخواست حذف خبر:
«خبربان» یک خبرخوان هوشمند و خودکار است و این خبر را بهطور اتوماتیک از وبسایت snn.ir دریافت کردهاست، لذا منبع این خبر، وبسایت «خبرگزاری دانشجو» بوده و سایت «خبربان» مسئولیتی در قبال محتوای آن ندارد. چنانچه درخواست حذف این خبر را دارید، کد ۲۸۵۷۵۲۳۴ را به همراه موضوع به شماره ۱۰۰۰۱۵۷۰ پیامک فرمایید. لطفاً در صورتیکه در مورد این خبر، نظر یا سئوالی دارید، با منبع خبر (اینجا) ارتباط برقرار نمایید.
با استناد به ماده ۷۴ قانون تجارت الکترونیک مصوب ۱۳۸۲/۱۰/۱۷ مجلس شورای اسلامی و با عنایت به اینکه سایت «خبربان» مصداق بستر مبادلات الکترونیکی متنی، صوتی و تصویر است، مسئولیت نقض حقوق تصریح شده مولفان در قانون فوق از قبیل تکثیر، اجرا و توزیع و یا هر گونه محتوی خلاف قوانین کشور ایران بر عهده منبع خبر و کاربران است.
خبر بعدی:
بررسی تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کنندههای توان کاربردی در تجهیزات مخابراتی توسط محققان کشور
به گزارش خبرگزاری علم و فناوری آنا، حامد دانشور دانشآموخته دکتری دانشگاه صنعتی امیرکبیر و مجری طرح «مدل سازی و تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده توان با ترانزیستور گسسته در محفظه شیلد روزنه دار» با بیان اینکه تقویت کننده توان یکی از بخشهای اصلی هر تجهیز مخابراتی است، افزود: تأثیرپذیری الکترومغناطیسی این تقویت کننده یکی از مسائل مهم در عملکرد این تجهیزات است.
وی اشاره کرد: پژوهشهای انجام شده در این حوزه، عملکرد کل مدار تقویت کننده تحت تابش میدانهای الکتریکی مجاور آن را به صورت همزمان مورد تحلیل قرار نمی دهند. در این پژوهش، عملکرد کل مدار تقویت کننده توان تحت تابش میدان الکتریکی در یک محفظه شیلد روزنه دار به صورت تمام موج تحلیل شد.
محقق دانشگاه صنعتی امیرکبیر اضافه کرد: برای انجام این پژوهش، ابتدا یک تقویت کننده توان با مشخصات موردنظرطراحی گردید و سپس این تقویت کننده برای کاهش اثرات میدانهای تابشی مجاور درون یک محفظه شیلد روزنه دار قرار گرفت.
وی ادامه داد: در ادامه با تحت تابش قراردادن این محفظه، تأثیرپذیری عملکرد تقویت کننده توان تحلیل شد.
فارغ التحصیل دانشگاه صنعتی امیرکبیر بیان کرد: با استفاده از نتایج و روش ارائه شده در این پژوهش می توان تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تجهیزات مخابراتی مختلف نظیر موبایل و ماهوارههای مخابراتی را با دقت بیشتر مورد بررسی قرار داد.
دانشور عنوان کرد: از نتایج حاصل از این پژوهش تاکنون دو مقاله منتشر شده که تمرکز اصلی آن ها روی تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده با تعمیم روش عددی تفاضل محدود حوزه زمان است.
این پژوهشگر دانشگاه صنعتی امیر کبیر،افزود: برای ادامه این پژوهش، با فراهم کردن ترانزیستور مورد استفاده در طراحی تقویت کننده توان موردنظر و ساخت این تقویت کننده، می توان نتایج حاصل از این پژوهش را با نتایج حاصل از اندازه گیری صحت سنجی نمود.
وی با اشاره به ویژگیهای این پژوهش گفت:دقت بالاتر در تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت توان در مقایسه با روشهای دیگر و تحلیل های نرم افزاری و همچنین کاهش تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده های توان کاربردی در تجهیزات مخابراتی مختلف به کمک محفظه شیلد روزنه دار از ویژگی های این تحقیق بوده است.
انتهای پیام/