گامی دیگر به سوی تولید دستگاه‌های ذخیره‌سازی داده با ظرفیت بالا
تاریخ انتشار: ۲۲ خرداد ۱۴۰۱ | کد خبر: ۳۵۲۱۳۰۱۰
دانشمندان "دانشگاه توکیو" در پژوهش جدیدی، گامی به سوی تولید دستگاه‌های ذخیره‌سازی داده با ظرفیت بالا برداشته‌اند.
به گزارش ایسنا و به نقل از ایشیا ریسرچ نیوز، دانشمندان مؤسسه علوم صنعتی در "دانشگاه توکیو"(UTokyo)، ترانزیستورهای اثر میدانی سه‌بعدی با شکل عمودی را ابداع کرده‌اند تا به تولید دستگاه‌های ذخیره‌سازی داده با ظرفیت بالا بپردازند.
بیشتر بخوانید:
اخباری که در وبسایت منتشر نمی‌شوند!
اگرچه فلش درایوهای مورد استفاده از نظر اندازه، ظرفیت، مقرون‌به‌صرفه بودن و ذخیره داده‌ها، پیشرفت‌های زیادی نسبت به فرمت‌های پیشین دارند اما یادگیری ماشینی و برنامه‌های کاربردی "کلان‌داده"(Big Data) همچنان تقاضا را برای نوآوری افزایش می‌دهند. علاوه بر این، دستگاه‌های مجهز به رایانش ابری سیار و اینترنت اشیا در آینده به حافظه‌ای با انرژی کارآمد و اندازه کوچک نیاز خواهند داشت.
گروهی از پژوهشگران دانشگاه توکیو اکنون نخستین نمونه از یک سلول حافظه فشرده سه‌بعدی را براساس ترانزیستورهای اثر میدان فروالکتریک و آنتی‌فروالکتریک ابداع کرده‌اند. این ترانزیستورها همیشه به برق نیاز ندارند. ساختار عمودی دستگاه، تراکم اطلاعات را افزایش می‌دهد و نیاز به انرژی را کم می‌کند.
مواد فروالکتریک دارای دوقطبی‌های الکتریکی هستند که وقتی در یک جهت تراز شوند، پایدارترین نمونه مواد را ارائه می‌دهند. اکسید هافنیوم فروالکتریک، تراز عمودی دوقطبی‌ها را خود به خود امکان‌پذیر می‌کند. اطلاعات در لایه فروالکتریک ذخیره می‌شوند که به دلیل تغییر در مقاومت الکتریکی، توسط سیستم قابل خواندن است. از سوی دیگر، آنتی‌فروالکتریک‌ها تمایل دارند دوقطبی‌ها را عوض و بدل کنند و این کار، عملیات پاک کردن کارآمد را در کانال نیمه‌هادی امکان‌پذیر می‌کند.
"ژو لی"(Zhuo Li)، پژوهشگر ارشد این پروژه گفت: ما نشان دادیم که دستگاه ما حداقل برای ۱۰۰۰ چرخه، پایدار است.
این گروه پژوهشی، آزمایش خود را با ضخامت‌های مختلف سطح برای لایه اکسید ایندیوم انجام دادند. آنها دریافتند که بهینه‌سازی این پارامتر می‌تواند منجر به افزایش قابل توجهی در عملکرد دستگاه شود. همچنین آنها از شبیه‌سازی‌های رایانه‌ای برای ترسیم پایدارترین حالت‌های سطح استفاده کردند.
"ماساهارو کوبایاشی"(Masaharu Kobayashi)، از پژوهشگران این پروژه گفت: روش ما این پتانسیل را دارد که حوزه حافظه غیر فرار را تا اندازه قابل توجهی بهبود ببخشد.
این پژوهش با استفاده از هر دو نمونه آزمایشی و همراه با شبیه‌سازی رایانه‌ای ممکن است به فعال کردن تجهیزات الکترونیکی آینده کمک کند.
انتهای پیام
منبع: ایسنا
کلیدواژه: ترانزيستور حافظه انرژي دانشگاه توکیو ذخیره سازی داده
درخواست حذف خبر:
«خبربان» یک خبرخوان هوشمند و خودکار است و این خبر را به‌طور اتوماتیک از وبسایت www.isna.ir دریافت کرده‌است، لذا منبع این خبر، وبسایت «ایسنا» بوده و سایت «خبربان» مسئولیتی در قبال محتوای آن ندارد. چنانچه درخواست حذف این خبر را دارید، کد ۳۵۲۱۳۰۱۰ را به همراه موضوع به شماره ۱۰۰۰۱۵۷۰ پیامک فرمایید. لطفاً در صورتی‌که در مورد این خبر، نظر یا سئوالی دارید، با منبع خبر (اینجا) ارتباط برقرار نمایید.
با استناد به ماده ۷۴ قانون تجارت الکترونیک مصوب ۱۳۸۲/۱۰/۱۷ مجلس شورای اسلامی و با عنایت به اینکه سایت «خبربان» مصداق بستر مبادلات الکترونیکی متنی، صوتی و تصویر است، مسئولیت نقض حقوق تصریح شده مولفان در قانون فوق از قبیل تکثیر، اجرا و توزیع و یا هر گونه محتوی خلاف قوانین کشور ایران بر عهده منبع خبر و کاربران است.
خبر بعدی:
ذخیره ۶ میلیون مترمکعب روان‌آب در سازه‌های آبخیزداری سمنان
مدیرکل منابع طبیعی و آبخیزداری استان سمنان از ذخیره‌سازی ۶ میلیون مترمکعب روان‌آب در سازه‌های آبخیزداری این استان پس از بارش‌های اخیر خبر داد. - اخبار استانها -
جعفر مرادی حقیقی در گفت‌وگو با خبرنگار تسنیم در سمنان، اظهار داشت: این مهم در بارندگی‌های بهاری و پایان فصل زمستان ذخیره‌سازی شده است.
وی از وجود یک هزار و 500 سازه آبخیزداری در استان سمنان خبر داد و گفت: ظرفیت و مجموع حجم ذخیره‌سازی آن 12 میلیون متر مکعب است.
مدیرکل منابع طبیعی و آبخیزداری استان سمنان با اشاره به کمبود بارندگی در استان سمنان و کاهش منابع آبی، گفت: ذخیره‌سازی این میزان آب که حاصل بارندگی‌های فصل بهار یعنی فروردین و اردیبهشت‌ماه امسال است، بسیار حائز اهمیت است.
مرادی حقیقی با اشاره به اهمیت سازه‌های آبخیزداری گفت: این سازه‌ها علاوه بر حفظ آب و در نهایت ذخیره‌سازی آب به جلوگیری از وقوع سیلاب نیز کمک شایانی می‌کنند.
انتهای پیام/363/
گزارشگر قديمى راديو دار فانى را وداع گفت